息化终端设备的主流生态架构！”
“至少成为国内主流架构，世界流行架构的三甲之一。”
见胡长风还在迟疑，周至继续说道：“其实目前我们的算力卡已经具备了这方面的能力，所欠缺的只是硬件小型化和操作系统的个人化。在算法设计层面，非线性算力卡已经能够完美地胜任线性计算摹拟和非线性图形渲染两方面的工作，在算法层面已经完成了新一代gpu的设计。”
“换句话说，现在我们要研发的芯片，就是将基于旧芯片和外围电子元器件，以及部分软件算法，集成为新一代的gpu，整个体积和算力水平不超过最新的pentiuii，k6-2和powerpcg4。耗电也必须接近。”
“先说说，这个鳍式场效应晶体管技术，之前就听说过名儿，到底是怎么回事儿？”
“鳍式场效应晶体管，全称ffield-effecttransistor，简称为ffet，是一种区别于传统osfet结构的新技术。”
“传统的osfet结构是平面型的，其结构可以用田野来打比方，最下面一层是绝缘基质，就好比土壤，上面是元器件，分为源极与漏极两种，就好比土地上的玉米地和麦子地，地与地之间是分离的，隔开它们的是沟道。”
“和田地不一样的是，集成电路里的玉米地和麦子地之间是存在交流的，电子就好像农人，需要在不同的地块上走动，但是他们的走动不是随意的，而是通过架设在田地上的桥梁穿行，这种桥梁，在集成电路里被称为栅极。”
“从设计理论上讲，所有农人都通过桥梁在田地间穿行，是集成电路设计的最佳要求，但是由于osfet的平面结构设计缺陷，导致很多农人可以不经由栅极构成的桥梁，直接穿过沟道，从玉米地到达麦子地，这种现象叫做‘沟道效应’，这部分不守规矩的农夫叫做‘漏电流’，对于电路控制是非常不利的。”
“加州伯克利分校的胡正明教授提出了一种全新的设想，既然沟道对于抑制农人不守规矩穿梭田地的作用有限，那就换一个办法，将田地之间的基质填高，变成一道道墙体。而以前的桥梁需要用珍贵的材质填平自己所占的那部分沟道才能过沟，现在则成了便宜的绝缘基质抬高，占用了原来桥梁过沟的空间，变成了用便宜材料替代部分珍贵材料，还解决了制造成本。”
“这样一来，osfet结构的沟道，变成了由绝缘衬底上凸起的高而薄的鳍，源漏两极分别在其两端，三栅极紧贴其侧